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ZnO壓敏電阻器的限壓原理：

VSIOV= ZSIOV*VS(Zsource+ZSIOV)，其中VS為浪涌電壓，Zsourc為浪涌電壓源的阻抗，如傳輸線的電阻或線圈的電感等，ZSIOV

為ZnO壓敏電阻器在某電流下的電阻。浪涌電壓源的阻抗往往被低估，因浪涌電流包含許多KHz—MHz的交流成分，其阻抗比低頻時大得多。

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眾所周知，適宜的原材料配方是獲得要求性能的產品的關鍵，它直接關系到工藝流程的擬訂、工藝裝備的選用以及產品性能的提高等。實驗所用原料均為分析純。將ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的ZnO壓敏陶瓷配方比例稱量。稱取的粉料經混合，加入粘結劑（5020膠水）造粒，用壓片機在8MPa的壓力下壓制成圓片坯體，在箱式電阻爐中分別于1160,1180，1200

℃燒結成瓷，保溫2h 后隨爐冷卻，表面處理后涂銀電極，之后進行各項性能測試。

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