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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價和正二價的Zni和Vo，負一價和負二價的

VZn ，正一價的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產生勢壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩態，是老化產生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時原子運動加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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眾所周知，適宜的原材料配方是獲得要求性能的產品的關鍵，它直接關系到工藝流程的擬訂、工藝裝備的選用以及產品性能的提高等。實驗所用原料均為分析純。將ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、MnO2、SnO2、Sb2O3等原料按一定的ZnO壓敏陶瓷配方比例稱量。稱取的粉料經混合，加入粘結劑（5020膠水）造粒，用壓片機在8MPa的壓力下壓制成圓片坯體，在箱式電阻爐中分別于1160,1180，1200

℃燒結成瓷，保溫2h 后隨爐冷卻，表面處理后涂銀電極，之后進行各項性能測試。

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