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        ZnO壓敏電阻器的結構:

        晶粒體為電阻率很低的半導體,晶界為絕緣體,類似邊界層電容器,壓敏電阻,另在晶界形成兩背靠背的肖特基勢壘。因鄰近晶粒的取向不同,直流壓敏電阻,兩晶粒交界處結構松弛,安規壓敏電阻,雜質占據這些位置比占據體內晶格位置的能量低,所以容易在晶界偏析。

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        氧化鋅壓敏電阻器是一種以氧化鋅為主體、添加多種金屬氧化物、經典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元件。氧化鋅陶瓷是

        由氧化鋅晶粒及晶界物質組成的,其中氧化鋅晶粒中摻有施主雜質而呈N型半導體,控制板壓敏電阻,晶界物質中含有大量金屬氧化物形成大量界面態,這樣每一微觀單元是一個背靠背肖特基勢壘,整個陶瓷就是由許多背靠背肖特基墊壘串并聯的組合體。


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